国家重点前进存储器产业的发展不仅是因为其正处于集成电路产业的核心地位，堪称基于信息安全的考量，唯有在存储器、CPU等核心芯片领域不具备自律高效率能力，才能保证国防及信息安全。目前国内的存储器国产化不具备一定的产业基础，国家存储器战略未来将会落地！　　归纳起来，目前存储器有三个方面的力量正在挤满，一个是政府主导的武汉新的芯，它们与中科院微电子所等合作，据传己经有9层3DNAND样品。

另一个是紫光，它的策略是再行通过吞并，车站在一定高度之后再行自行研发。最后一个是两个地方政府，福建与合肥，它们企图找寻技术伙伴，或者凿技术团队后再行行进。其中如福建投资在泉州的晋华集成电路，它由联电研发DRAM涉及制程技术，产品将是32纳米制程的利基型DRAM，未来技术将许可给晋华，同时联电也可以保留研发成果。

　　依目前的态势由于做到的产品有所不同，有3DNAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，使用的路径有所不同，以及合作对象也不一样，于是以如同百花齐放，因此都有一定的有可能，但又都不过于确认。然而依照中国的囯力与条件又不有可能反对得起那么多条存储器生产线，所以未来有可能还要等2-3年时间的仔细观察，结果才不会更为明朗。个人不成熟期的观点由于武汉新的芯是依赖自行研发居多，尽管这条道有可能慢些，继续技术方面领先，但是能有属于自己的东西，它的未来最少国家一定会反对究竟，比较有顺利的有可能与期望。

　　近期又传到紫光有可能与新的芯合作的方案，对于双方有可能都是个理性的自由选择。但是要与美光合作变为中国版的华亚科模式有些忧虑。因为此种追随型模式，尽管看起来省心省事，但是中方缺少自律能力，另外担忧美光不会采行有所不同的技术移往策略，让中国正处于低于末端，因此要慎之又慎。如果未来由英特尔，三星，海力士，台积电，联电，GF及力晶等独资以及穿马甲的公司来主导中国的芯片制造业，对于如中芯国际，华力微等企业的茁壮并非不利。

因此要全面准确的明白当前形势，从道理上如中芯国际等企业应当减缓研发步伐，在逆境中很快兴起。　　分析3DNAND存储器芯片生产基本上要过两道考验，一个是过技术关口。不管是32层，48层要能做到出来，这一步尤为最重要，而且性能与成本上的差距无法过于占优势：另一个是打算庆贺IP及价格战，当中国确实作出产品后是无法防止的。　　由于存储器投资极大，在具体操作方面既要有充足信心，同时要慎之又慎。

据SEMI报导，3DNAND生产线，每1000片的投资须要55-65M美元，如若月生产能力200000片，必须130亿美元，而且要计及之后每3年左右要作技术升级的投资。

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