多年以后我们写出半导体发展史的话，28纳米节点一定是浓墨重彩的一笔，它背后有很多的故事。在2016FD-SOI论坛上，复旦微电子总工程师沈磊如是说。的确，28纳米以后逻辑工艺开始分叉：立体工艺FinFET由于取得英特尔与台积电的主推沦为主流，14/16纳米都已量产，10纳米工艺也有可能在2017年量产；体硅工艺暂停在28纳米，想要减少集成度而又对FinFET开发成本望而却步的半导体公司另辟蹊径，开始考虑到通过3D或者2.5DPCB来沿袭摩尔定律；通过几年的发展，平面工艺FD-SOI生态链日趋成熟期，CEA-Leti的研究结果表明FD-SOI工艺最少可以沿袭到7纳米，这伴随着FD-SOI不是一个穷节点工艺路线，设计公司与IP公司从从容并转到插手，GlobalFoundries（格罗方德）回应目前有50余家设计公司在利用该公司的22纳米FD-SOI工艺展开设计。　　功耗性能比向来是FD-SOI工艺所特别强调的优势。

根据三星获取的数据，比起体硅工艺（28纳米HKMG工艺），28纳米FD-SOI功耗相等于体硅工艺的70%，性能要高达16%。格罗方德将在2017年量产的22FDX（22纳米FD-SOI工艺）反对超低电压运营，只需0.4V电压就需要反对逻辑运算，与28纳米HKMG工艺比起，功耗减少了70%，溢电流只有大约1pA/um。

在此次论坛上引发热议的索尼GPS芯片CXD5600即使用28纳米FD-SOI工艺，由于在功耗方面的出众展现出，早已被华米用作其新的发售的AMAZFIT运动手表里面。

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